- نموذج المنتج BSZ15DC02KDHXTMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
- تصنيف غير مصنف
-
PDF
- 5000 0.5
- 10000 0.48
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-PowerTDFN
- عدد اللفات Surface Mount
- السرعة N and P-Channel Complementary
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- قابل للغسل 2.5W
- تشطيب جهة التلامس الداخلية 20V
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 5.1A, 3.2A
- عمق 419pF @ 10V
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
- نوع الترياك 2.8nC @ 4.5V
- نوع الاتصال Logic Level Gate, 2.5V Drive
- نوع الحاجز 1.4V @ 110µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TSDSON-8-FL
- قطر - الكتف Automotive
- AEC-Q101
المنتجات ذات الصلة
CMC 51UH 200MA 2LN 2.8KOHM SMD
المخزون: 6587
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
المخزون: 35353
