- نموذج المنتج IPD122N10N3GATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
- تصنيف غير مصنف
-
PDF
المخزون:35884
التسعير:
- 2500 0.6
- 5000 0.57
- 12500 0.55
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 59A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 12.2mOhm @ 46A, 10V
- مادة الحلقة 94W (Tc)
- نوع الحاجز 3.5V @ 46µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TO252-3
- طول الحزام 6V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 100 V
- 35 nC @ 10 V
- 2500 pF @ 50 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
