- نموذج المنتج IPD320N20N3GATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- تصنيف غير مصنف
-
PDF
المخزون:5186
التسعير:
- 2500 1.52
- 5000 1.46
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 34A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 32mOhm @ 34A, 10V
- مادة الحلقة 136W (Tc)
- نوع الحاجز 4V @ 90µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TO252-3
- طول الحزام 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 200 V
- 29 nC @ 10 V
- 2350 pF @ 100 V
المنتجات ذات الصلة
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
المخزون: 19183
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
