- نموذج المنتج IPB017N10N5ATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- تصنيف غير مصنف
-
PDF
المخزون:4098
التسعير:
- 1000 4.13
- 2000 3.87
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 180A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 1.7mOhm @ 100A, 10V
- مادة الحلقة 375W (Tc)
- نوع الحاجز 3.8V @ 279µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TO263-7
- طول الحزام 6V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 100 V
- 210 nC @ 10 V
- 15600 pF @ 50 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
المخزون: 8402
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
