- نموذج المنتج FDMS3660S
- العلامة التجارية Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
- تصنيف غير مصنف
-
PDF
- 3000 0.91
- 6000 0.87
- 9000 0.85
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-PowerTDFN
- عدد اللفات Surface Mount
- السرعة 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- قابل للغسل 1W
- تشطيب جهة التلامس الداخلية 30V
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 30A, 60A
- عمق 1765pF @ 15V
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 8mOhm @ 13A, 10V
- نوع الترياك 29nC @ 10V
- نوع الاتصال Logic Level Gate
- نوع الحاجز 2.7V @ 250µA
- أقصى فولتية تيار متردد Power56
المنتجات ذات الصلة
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
المخزون: 7062
IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5
المخزون: 13971
المخزون: 0
المخزون: 0
المخزون: 0
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 6WDFN
المخزون: 5732
TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
المخزون: 26768
