- نموذج المنتج BSZ060NE2LSATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:55532
التسعير:
- 5000 0.26
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-PowerTDFN
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 12A (Ta), 40A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 6mOhm @ 20A, 10V
- مادة الحلقة 2.1W (Ta), 26W (Tc)
- نوع الحاجز 2V @ 250µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TSDSON-8-FL
- طول الحزام 4.5V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 25 V
- 9.1 nC @ 10 V
- 670 pF @ 12 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
