- نموذج المنتج IRFH5302TRPBF
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:5315
التسعير:
- 4000 0.49
- 8000 0.47
- 12000 0.44
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-PowerVDFN
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 32A (Ta), 100A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 2.1mOhm @ 50A, 10V
- مادة الحلقة 3.6W (Ta), 100W (Tc)
- نوع الحاجز 2.35V @ 100µA
- أقصى فولتية تيار متردد PQFN (5x6) Single Die
- طول الحزام 4.5V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 30 V
- 76 nC @ 10 V
- 4400 pF @ 15 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
