- نموذج المنتج STD13NM60N
- العلامة التجارية STMicroelectronics
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:8618
التسعير:
- 2500 1.28
- 5000 1.24
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 11A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 360mOhm @ 5.5A, 10V
- مادة الحلقة 90W (Tc)
- نوع الحاجز 4V @ 250µA
- أقصى فولتية تيار متردد DPAK
- طول الحزام 10V
- كمية الخطوة ±25V
- 600 V
- 30 nC @ 10 V
- 790 pF @ 50 V
المنتجات ذات الصلة
IC REG BUCK ADJ 1A 8SOIC
المخزون: 6600
IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
المخزون: 30322
IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC
المخزون: 6085
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
المخزون: 15
