- نموذج المنتج SIR516DP-T1-RE3
- العلامة التجارية Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- الوصف N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:7500
التسعير:
- 3000 0.79
- 6000 0.76
- 9000 0.73
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت PowerPAK® SO-8
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 8mOhm @ 10A, 10V
- مادة الحلقة 5W (Ta), 71.4W (Tc)
- نوع الحاجز 4V @ 250µA
- أقصى فولتية تيار متردد PowerPAK® SO-8
- طول الحزام 7.5V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 100 V
- 27 nC @ 10 V
- 1920 pF @ 50 V
المنتجات ذات الصلة
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
المخزون: 26614
المخزون: 0
IC REG BUCK ADJ 10A 20VQFN
المخزون: 3956
