- نموذج المنتج ISC046N04NM5ATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:16445
التسعير:
- 5000 0.49
- 10000 0.46
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-PowerTDFN
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 19A (Ta), 77A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 4.6mOhm @ 35A, 10V
- مادة الحلقة 3W (Ta), 50W (Tc)
- نوع الحاجز 3.4V @ 17µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TDSON-8 FL
- طول الحزام 7V, 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 40 V
- 21 nC @ 10 V
- 1400 pF @ 20 V
المنتجات ذات الصلة
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
